专利简介

一种用于合成 2H/1T′TMD 异质相结的方法及基于该方法的器件

简介
本发明一般涉及过渡金属硫族化合物（TMD）异质相结。更具体地说，本发明涉及一种用于生长 2H/1T′二硫化钼(MoS2)异质相结的化学气相沉积（CVD）方法。