专利简介

过渡金属二硫化物单层晶体的相控合成方法

简介
本发明提供了一种普适的盐辅助化学气相沉积方法，用于可控地合成1T′和2H相过渡金属二硫化物（TMD）单层晶体。该方法包括：混合过渡金属化合物粉末和盐粉末以形成前驱体；将生长基地放置在前驱体的顶部；将前驱体和基底放置在化学气相沉积（CVD）炉中心位置；将硫族元素粉末放置在CVD炉中在气流方向上与前驱体相对的上游位置；在升温时间内将CVD炉加热至生长温度；在H2和Ar混合气流下，将CVD炉保持在生长温度一段生长时间。光学和电学特性表明所合成的2H相和1T′相晶体具有相依赖的平面各向同性和各向异性。相对于1T′-TMD块状晶体，1T′-TMD单层晶体展示出更高的相变温度。

简介

本发明提供了一种普适的盐辅助化学气相沉积方法，用于可控地合成1T′和2H相过渡金属二硫化物（TMD）单层晶体。该方法包括：混合过渡金属化合物粉末和盐粉末以形成前驱体；将生长基地放置在前驱体的顶部；将前驱体和基底放置在化学气相沉积（CVD）炉中心位置；将硫族元素粉末放置在CVD炉中在气流方向上与前驱体相对的上游位置；在升温时间内将CVD炉加热至生长温度；在H2和Ar混合气流下，将CVD炉保持在生长温度一段生长时间。光学和电学特性表明所合成的2H相和1T′相晶体具有相依赖的平面各向同性和各向异性。相对于1T′-TMD块状晶体，1T′-TMD单层晶体展示出更高的相变温度。